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电子元器件详细资料 » IC[33182] » SI4505DY-T1-E3
型号:SI4505DY-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V,8V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A,3.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C18 毫欧 @ 7.8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221.8V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs20nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
锦迅科技(香港)有限公司马小姐086-0755-83226745/82584980
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
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SI4505DY-T1-E3相关型号

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